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SI4166DY-T1-GE3 ,分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

全新原裝,公司現(xiàn)貨銷售。

數(shù)量:7500pcs。

參數(shù):

FET 類型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))30.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(值)3.9 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)65nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)2730pF @ 15V
功率 - 值6.5W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

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