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Infineon IGBT 模塊

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聯(lián)系人:李先生 高小姐 聯(lián)系電話:0086-755-82556029,82532511

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產(chǎn)品保證貨真價(jià)實(shí)誠實(shí)守信

產(chǎn)品詳情
  • 型號(hào):

    BSM35GP120

  • 品牌/商標(biāo):

    Infineon

  • 生產(chǎn)廠家:

    Infineon

  • 產(chǎn)品類別:

    -

  • 規(guī)格:

    模塊

全新原裝,公司現(xiàn)貨。

BSM35GP120

參數(shù):
制造商:  Infineon   
 
產(chǎn)品種類:  IGBT 模塊   
 
RoHS:  否  
 
產(chǎn)品:  IGBT Silicon Modules   
 
配置:  Hex   
 
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO:  1200 V   
 
集電極—射極飽和電壓:  2.4 V   
 
在25 C的連續(xù)集電極電流:  45 A   
 
柵極—射極漏泄電流:  300 nA   
 
功率耗散:  230 W   
 
工作溫度:  + 125 C   
 
封裝 / 箱體:  EconoPIM2   
 
柵極/發(fā)射極電壓:  +/- 20 V  
 
工作溫度:  - 40 C  
 
安裝風(fēng)格:  Screw  
 

上一個(gè)產(chǎn)品:ISO122P

下一個(gè)產(chǎn)品:M95040-RMB6TG

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