集成電路(IC)
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克·基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于鍺的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。
集成電路（Integrated Circuit,簡稱IC）是20世紀60年代初期發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。
集成電路或稱微電路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體裝置，也包括被動元件等）小型化的方式，并通常制造在半導體晶圓表面上。
前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動元件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
本文是關于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。
集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便于大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
集成電路，又稱為IC，按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/?；旌霞呻娐啡蠹呻娐?
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如3G手機、數碼相機、電腦CPU、數字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。
按制作工藝分類
集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。
按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為：
SSI 小規模集成電路(Small Scale Integrated circuits)
MSI 中規模集成電路(Medium Scale Integrated circuits)
LSI 大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits)
VLSI 超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits)
ULSI 特大規模集成電路(Ultra Large Scale Integrated circuits)
GSI 巨大規模集成電路也被稱作極大規模集成電路或超特大規模集成電路(Giga Scale Integration)。
按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路，他們都是數字集成電路。
雙極型集成電路的制作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。
按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電集成電路
路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
按應用領域分
集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和專用集成電路。
按外形分
集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩定性好，體積?。┖碗p列直插型。
世界集成電路發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中個里程碑；
集成電路
1950年：結型晶體管誕生
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝
1951年：場效應晶體管發明
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝
1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍
1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出塊門陣列（50門），為現如今的大規模集成電路發展奠定了堅實基礎，具有里程碑意義
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為的半導體設備制造公司
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現
1971年：個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明
1974年：RCA公司推出個CMOS微處理器1802
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出臺PC
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年：80386微處理器問世，20MHz
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段
1989年：1Mb DRAM進入市場
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝
1992年：64M位隨機存儲器問世
1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝集成電路
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝
2000年：1Gb RAM投放市場
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。
我國集成電路發展歷史
我國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
集成電路產業是對集成電路產業鏈各環節市場銷售額的總體描述，它不僅僅包含集成電路市場，也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場，甚至延伸至設備、材料市場。
[1]集成電路產業不再依賴CPU、存儲器等單一器件發展，移動互聯、三網融合、多屏互動、智能終端帶來了多重市場空間，商業模式不斷創新為市場注入新活力。目前我國集成電路產業已具備一定基礎，多年來我國集成電路產業所聚集的技術創新活力、市場拓展能力、資源整合動力以及廣闊的市場潛力，為產業在未來5年～10年實現快速發展、邁上新的臺階奠定了基礎。
檢測常識
1、檢測前要了解集成電路及其相關電路的工作原理
檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內部電路、主要電氣參數、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件，那么分析和檢查會容易許多。
2、測試不要造成引腳間短路
電壓測量或用示波器探頭測試波形時，表筆或探頭不要由于滑動而造成集成電路引腳間短路，在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進行測量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時更要加倍小心。
3、嚴禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設備
嚴禁用外殼已接地的儀器設備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設備。雖然一般的收錄機都具有電源變壓器，當接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或對采用的電源性質不太了解的電視或音響設備時，首先要弄清該機底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進一步擴大。
4、要注意電烙鐵的絕緣性能
不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認烙鐵不帶電，把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。
5、要保證焊接質量
焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應用內熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看，用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認無焊錫粘連現象再接通電源。
6、不要輕易斷定集成電路的損壞
不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。
7、測試儀表內阻要大
測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。
8、要注意功率集成電路的散熱
功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。
9、引線要合理
如需要加接外圍元件代替集成電路內部已損壞部分，應選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。[2]編輯本段型號命名
我國集成電路的型號 根據國際，我國集成電路的命名由五部分組成。
第0部分 部分 第二部分 第三部分 第四部分
各部分的含義如下
第0部分：用字母表示符合國家標準，C表示中國國際產品。
部分：用字母表示器件類型。
第二部分：用數字表示器件的系列代號。
第三部分：用字母表示器件的工作溫度。
第四部分：用字母表示器件的封裝。
國標GB/T3430—1989半導體集成電路命名方法規定集成電路型號各部分的符合及意義如表所以。
集成電路型號各部分的意義 第0部分 部分 第二部分 第三部分 第四部分
符號 意義 符合 意義 意義 符號 意義 符合 意義 C C表示
中國制造 T TTL電路 用數字表示器件的系列代號 C 0~70℃ F 多層陶瓷扁平
H HTL電路 G ‐25~70℃ B 塑料扁平 E ECL電路 L ‐24~85℃ H 黑瓷扁平
C CMOS電路 E ‐40~85℃ D 多層陶瓷雙列直插 M 存儲器 R ‐55~85℃ J 黑瓷雙列直插
µ 微型機電路 M ‐55~125℃ P 塑料雙列直插 F 線性放大器 S 塑料單列直插 W 穩定器 K 金屬菱形 B 非線性電路 T 金屬圓形 J 接口電路 C 陶瓷芯片載體 AD A/D轉換器 E 塑料芯片載體 DA D/A轉換器 G 網絡針柵陳列 D 音響、電視電路 SC 通信專用電路 SS 敏感電路 SW 鐘表電路
例如： 肖特基4輸入與非門 CT54S20MD
C—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃，D—多層陶瓷雙列直插封裝
封裝
1、BGA
(ball grid array)
球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用 以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360引腳BGA僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225?，F在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。
2、BQFP
(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
3、C－(ceramic) 表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
5、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的集成電路
Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
6、COB(chip on board)
板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
7、DFP(dual flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
8、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
9、DIL(dual in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
10、DIP(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。
11、DSO(dual small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
12、DICP(dual tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是集成電路
TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。
13、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。
14、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技術中體積、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
16、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
17、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
18、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
19、H-(with heat sink) 表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
20、pin grid array(surface mount type) 表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列集成電路
狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。
21、JLCC(J-leaded chip carrier) J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
22、LCC(Leadless chip carrier) 無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
23、LGA(land grid array) 觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用 。預計 今后對其需求會有所增加。
24、LOC(lead on chip) 芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。
25、LQFP(low profile quad flat package) 薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
26、L－QUAD陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。
27、MCM(multi-chip module) 多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是的，但成本也高。
28、MFP(mini flat package) 小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。
29、MQFP(metric quad flat package) 按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP(見QFP)。
30、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司于1993 年獲得特許開始生產 。
31、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。
32、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
33、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
34、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處于開發階段。
35、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。
36、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶集成電路
瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用于高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
37、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用于評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場上不怎么流通。
38、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現在已經 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會于1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
39、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
40、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家采用的名稱。
41、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 于68。
42、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數從32 至84。
43、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的集成電路
名稱。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
44、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型?；挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小于0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
45、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。
46、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。
47、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。
48、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
49、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
50、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
51、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是 比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
52、SDIP(shrink dual in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。
53、SH－DIP(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱。
54、SIL(single in-line)
SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱。
55、SIMM(single in-line memory module)
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。
56、SIP
(single in-line package) 單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定制產品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。
57、SK－DIP(skinny dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見 DIP)。
58、SL－DIP(slim dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。
59、SMD(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。
SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別稱。(見SOP)。
60、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中采用了此封裝。引 腳數 26。
61、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家采用此名稱。
62、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數用于DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見SIMM )。
63、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標準對SOP 所采用的名稱(見SOP)。
64、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家采用的名稱(見SOP)。
65、SOP(small Out-Line package)
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存儲器LSI 外，也廣泛用于規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8 ～44。
另外，引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。
66、SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))
寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。
從1930年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的William Shockley認為是固態真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在1940到1950年代被系統的研究。今天，盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管，激光，太陽能電池和速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。
半導體IC制程，包括以下步驟，并重復使用：
黃光(微影) 蝕刻 薄膜 擴散
CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。
IC 由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。
在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。
電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數，決定電阻。
電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。
更為少見的電感結構，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。
因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙級組件消耗的電流少很多。
隨機存取存儲器（random access memory）是最常見類型的集成電路，所以密度的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層，因為他們太大了。高頻光子（通常是紫外線）被用來創造每層的圖案。因為每個特征都非常小，對于一個正在調試制造過程的過程工程師來說，電子顯微鏡是必要工具。
在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為“die”。每個好的die 被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之后，設備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本產品的制造成本的25%，但是對于低產出，大型和/或高成本的設備，可以忽略不計。
在2005年，一個制造廠（通常稱為半導體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設費用要超過10億美金，因為大部分操作是自動化的。[3]編輯本段發展趨勢
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克·基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于鍺的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。
2001年到2010年這10年間，我國集成電路產量的年均增長率超過25%，集成電路銷售額的年均增長率則達到23%。2010年國內集成電路產量達到640億塊，銷售額超過1430億元，分別是2001年的10倍和8倍。中國集成電路產業規模已經由2001年不足世界集成電路產業總規模的2%提高到2010年的近9%。中國成為過去10年世界集成電路產業發展最快的地區之一。
國內集成電路市場規模也由2001年的1140億元擴大到2010年的7350億元，擴大了6.5倍。國內集成電路產業規模與市場規模之比始終未超過20%。如扣除集成電路產業中接受境外委托代工的銷售額，則中國集成電路市場的實際國內自給率還不足10%，國內市場所需的集成電路產品主要依靠進口。近幾年國內集成電路進口規模迅速擴大，2010年已經達到創紀錄的1570億美元，集成電路已連續兩年超過原油成為國內宗的進口商品。與巨大且快速增長的國內市場相比，中國集成電路產業雖發展迅速但仍難以滿足內需要求。
當前以移動互聯網、三網融合、物聯網、云計算、智能電網、新能源汽車為代表的戰略性新興產業快速發展，將成為繼計算機、網絡通信、消費電子之后，推動集成電路產業發展的新動力。工信部預計，國內集成電路市場規模到2015年將達到12000億元。
我國集成電路產業發展的生態環境亟待優化，設計、制造、封裝測試以及專用設備、儀器、材料等產業鏈上下游協同性不足，芯片、軟件、整機、系統、應用等各環節互動不緊密?！笆濉逼陂g，中國將積極探索集成電路產業鏈上下游虛擬一體化模式，充分發揮市場機制作用，強化產業鏈上下游的合作與協同，共建價值鏈。培育和完善生態環境，加強集成電路產品設計與軟件、整機、系統及服務的有機連接，實現各環節企業的群體躍升，增強電子信息大產業鏈的整體競爭優勢。[1][4]編輯本段其他信息
晶體管發明并大量生產之后，各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。集成電路的規模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化IC 代替了設計使用離散晶體管。
IC 對于離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片面積從幾平方毫米到350 mm2，每mm2可以達到一百萬個晶體管。
個集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個雙極性晶體管，三個電阻和一個電容器。
根據一個芯片上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類：
1.小規模集成電路
SSI 英文全名為 Small Scale Integration, 邏輯門10個以下 或 晶體管 100個以下。
2.中規模集成電路
MSI 英文全名為 Medium Scale Integration, 邏輯門11~100個 或 晶體管 101~1k個。
3.大規模集成電路
LSI 英文全名為 Large Scale Integration, 邏輯門101~1k個 或 晶體管 1,001~10k個。
4.超大規模集成電路
VLSI 英文全名為 Very large scale integration, 邏輯門1,001~10k個 或 晶體管 10,001~100k個。
5.甚大規模集成電路
ULSI 英文全名為 Ultra Large Scale Integration, 邏輯門10,001~1M個 或 晶體管 100,001~10M個。
GLSI 英文全名為 Giga Scale Integration, 邏輯門1,000,001個以上 或 晶體管10,000,001個以上。
而根據處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路、和兼具模擬與數字的混合信號集成電路。
集成電路的發展
的集成電路是微處理器或多核處理器的"(cores)",可以控制電腦到手機到數字微波爐的一切。存儲器和ASIC是其他集成電路家族的例子，對于現代信息社會非常重要。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個IC的成本化。IC的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度應用。
這些年來，IC 持續向更小的外型尺寸發展，使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能－見摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每兩年增加一倍?？傊?，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了－單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC不是沒有問題，主要是泄漏電流（leakage current）。因此，對于最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨使用更好幾何學的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在半導體國際技術路線圖（ITRS）中有很好的描述。
越來越多的電路以集成芯片的方式出現在設計師手里，使電子電路的開發趨向于小型化、高速化。越來越多的應用已經由復雜的模擬電路轉化為簡單的數字邏輯集成電路。
IC的普及
僅僅在其開發后半個世紀，集成電路變得無處不在，電腦，手機和其他數字電器成為現代社會結構不可缺少的一部分。這是因為，現代計算，交流，制造和交通系統，包括互聯網，全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學者認為有集成電路帶來的數字革命是人類歷史中最重要的事件。
分類
集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數字，可以分為：模擬集成電路、數字集成電路和混合信號集成電路（模擬和數字在一個芯片上）。
數字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門，觸發器，多任務器和其他電路。這些電路的小尺寸使得與板級集成相比，有更高速度，更低功耗并降低了制造成本。這些數字IC, 以微處理器，數字信號處理器（DSP）和單片機為代表，工作中使用二進制，處理1和0信號。
模擬集成電路有,例如傳感器，電源控制電路和運放，處理模擬信號。完成放大，濾波，解調，混頻的功能等。通過使用所設計、具有良好特性的模擬集成電路，減輕了電路設計師的重擔，不需凡事再由基礎的一個個晶體管處設計起。
IC可以把模擬和數字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數字轉換器（A/D converter）和數字模擬轉換器（D/A converter）等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號沖突必須小心。
公司網址： www.hongshijia-ic.com / www.hosijia.com / www.hsjdzkj.com
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